Optoelektronika - NFPL022

• Anglický název: Optoelectronics
• Zajišťuje: Katedra makromolekulární fyziky (32-KMF)
• Fakulta: Matematicko-fyzikální fakulta
• Platnost: od 2001
• Semestr: letní
• E-Kredity: 3
• Rozsah, examinace: letní s.:2/0, Zk [HT]
• Počet míst: neomezen
• Minimální obsazenost: neomezen
• 4EU+: ne
• Virtuální mobilita / počet míst pro virtuální mobilitu: ne
• Stav předmětu: vyučován
• Jazyk výuky: čeština
• Způsob výuky: prezenční
• Způsob výuky: prezenční
• Garant: doc. RNDr. Jiří Toušek, CSc.
• Kategorizace předmětu: Fyzika > Fyzika pevných látek

Anotace

čeština

Poslední úprava: ()

Polovodičové zdroje a detektory záření na bázi klasických a nízkodimenzionálních struktur. Význam šumů pro detekci záření, optické komunikace, sluneční články.

angličtina

Poslední úprava: T_KMF (18.05.2001)

Semiconductor sources and detectors of radiation based on classical and low- dimensional structures. Role of noise in detection of radiation, optical communications, solar cells.

Literatura

Poslední úprava: RNDr. Pavel Zakouřil, Ph.D. (05.08.2002)

Wilson J., Hawkes J.F.B. : Optoelectronics. An Introduction. Prentice Hall. 1983

Nosov J.R. : Optoelektronika. Radio i svjaz. 1989

Toušek J. : Polovodičové prvky III. UK. Praha 1983

Sylabus

Poslední úprava: ()

1. Přechod P-N.
Ideální charakteristika přechodu P-N. Reálná charakteristika přechodu P-N v propustném a závěrném směru (typy průrazu).

2. Schottkyho kontakt.
Schottkyho efekt, základní přístupy k transportu nábojů (volt-ampérová charakteristika a kapacita Schottkyho diod).

3. Struktura MIS.
Kapacita ideální a reálné struktury MIS.

4. Heterogenní přechody.
Isotypové a anisotypové HP, pásové HP, pásové diagramy, transport náboje, dvourozměrný elektronový plyn, superstruktury.

5. Fotovoltaické jevy.
Přechod P-N ozářený rovnoběžně a kolmo k rovině přechodu, ozářený Schottkyho kontakt. Solární cely.

6. Polovodičové zdroje optického záření.
Elektroluminiscenční vrstvy, luminiscenční diody: materiály, účinnost setrvačnost. Polovodičové lasery: spektrální charakteristika, optická zpětná vazba, výpočet základních parametrů, konstrukce. Heterogenní lasery, lasery pro optické komunikace, degradace.

7. Polovodičové detektory.
Charakteristické parametry, parametry ovlivňující detektivitu. metody detekce záření, fotoodpory (poměr signál-šum, druhy fotoodporů), fotodiody a diody PIN, lavinové fotodiody (poměr signál-šum, režim činnosti, setrvačnsot), Schottkyho dioda, fototranzistor, využití struktur s proměnnou šířkou zakázaného pásu a supermřížek pro detekci záření. Optrony.

8. Polovodičové snímací elektronky.
Vidikon, plumbikon, amorní křemík, struktury CCD s přenosem náboje, detektor SPRITE.