|
|
|
||
Úvod. Klasifikace materiálů. Polovodičové struktury pro optoelektroniku.
Požadavky na polovodičový materiál. Fázové rovnováhy. Poruchy krystalů.
Příprava monokrystalů a tenkých vrstev. Příměsi v krystalech. Pasivace a
metalizace povrchů. Technologie prvků. Technologie integrovaných obvodů.
Poslední úprava: ()
|
|
||
Seznámit studenty s technologií polovodičů. Poslední úprava: FRANC/MFF.CUNI.CZ (07.05.2008)
|
|
||
Ústní zkouška Poslední úprava: Höschl Pavel, prof. RNDr., DrSc. (30.10.2019)
|
|
||
Physics of Semiconductor Devices, 4th Edition / S. M. Sze, Kwok K. Ng. / 2021
Semiconductor devices: physics and technology : international student version / S.M. Sze, M. K. Lee / 2013
Semiconductors: Data Handbook / Otfried Madelung / 2003
Fundamentals of semiconductor physics and devices / Rolf Enderlein, Norman J. M. Horing / 1997
Fundamentals of solid-state electronics / Chih – Tang Sah / 1992
Fyzika a technika polovodičů / Helmar Frank / 1990 Poslední úprava: Höschl Pavel, prof. RNDr., DrSc. (12.06.2023)
|
|
||
Standadní přednáška Poslední úprava: Höschl Pavel, prof. RNDr., DrSc. (30.10.2019)
|
|
||
Zkouška sestává z ústní části. Požadavky u ústní části zkoušky odpovídají sylabu předmětu v rozsahu, který byl prezentován na přednášce. Poslední úprava: Höschl Pavel, prof. RNDr., DrSc. (31.10.2017)
|
|
||
1. Úvod. Vymezení problematiky - mikroelektronika, optoelektronika, fotonika Stručná charakterizace jednotlivých kapitol.
2. Klasifikace materiálů. Vymezení role polovodičů - krystalová struktura, krystalová vazba, pásová struktura, vliv chemického složení (legování) a dimenze.Vymezení role izolátorů a kovů.
3. Polovodičové struktury pro optoelektroniku. Princip, funkce a optimalizace materiálových parametrů přechod p-n (LED, LASER, PV-dioda). FET tranzistor (JFET, MOSFET).
4. Požadavky na polovodičový materiá.l Substráty pro epitaxní technologie: kontrola kvality monokrystalů - hranice zrn, dislokace, precipitáty orientace monokrystalů, řezání, broušení, leštění a leptání krystalů, elektrické parametry substrátů (samokompenzace mezi donory a akceptory) Výchozí materiál pro opto- a mikro- elektronické prvky, zakázaný pás (band gap engineering), pohyblivost nosičů, doba života nosičů.
5. Fázové rovnováhy. Termodynamika fázových rovnováh Fázové diagramy: kondenzovaná fáze - kapalná fáze - kondenzovaná fáze - plynná fáze. Jednosložkové, dvousložkové a třísložkové systémy. Růst krystalů, žíhání krystalů.
6. Poruchy krystalů. Klasifikace defektů podle dimenze a jejich charakterizace (vrstvové chyby, dislokace, bodové poruchy) Termodynamika bodových defektů, stechiometrie krystalů Elektrická aktivita bodových defektů, komplexy defektů Rovnovážná koncentrace defektů a úprava stechiometrie krystalu.
7. Příprava monokrystalů a tenkých vrstev. Objemové monokrystaly (Biedgmanova metoda, Czochralskiho metoda, metoda visuté zony, krystalizace z roztoků, transportní metody z plynné fáze) Tenké vrstvy - epitaxní metody (LPE, VPE, MBE, MOCVD).
8. Příměsi v krystalech. Vliv příměsí na vlastnosti polovodičů. Čištění krystalů (směrové chlazení, zonální chlazení a další segregační metody). Ultračisté polovodiče. Legování polovodičů (segregace, difúze, iontová implantace). Koncentrační profily - jejich vytváření a stanovení. Kontrolní metody (MS, SIMS, RFA a další). Selektivní legování v 2D strukturách.
9. Pasivace a metalizace povrchů. Tepelná oxidace, depozice dielektrika, depozice polykrystalů, metalizace.
10. Technologie prvků. Přechod p-n, JFET, MOSFET, PV dioda, LED, LASER.
11. Technologie integrovaných obvodů Litografické techniky (UV, Rtg, elektronová, iontová) Chemické a suché leptání. Nosiče a pouzdra prvků a obvodů. Poslední úprava: T_FUUK (15.05.2002)
|
|
||
uzavřené Bc studium Poslední úprava: FRANC/MFF.CUNI.CZ (12.05.2008)
|