|
|
|
||
Úvod. Klasifikace materiálů. Polovodičové struktury pro optoelektroniku. Požadavky na polovodičový materiál. Úzkozónové
a širokozónové materiály pro viditelnou a infračervenou oblast spektra. Optoelektronika na bázi polymerů- Nanostruktury
(nanotechnologie a nanosoučástky)
Poslední úprava: T_KFES (23.04.2009)
|
|
||
Přednáška je vhodná pro studenty všech stupňů studia (bakalářské, magisterské, doktorské). Studenti si rozšíří znalosti o stávajících i nových materiálech, používaných převážně v elektronických a optoelektronických aplikacích.
Budou seznámeni s technologií přípravy těchto materiálů, s charakterizačními technikami a současnými aplikacemi. Poslední úprava: Belas Eduard, doc. Ing., CSc. (20.05.2011)
|
|
||
Ústní zkouška Poslední úprava: Belas Eduard, doc. Ing., CSc. (10.06.2019)
|
|
||
H.Frank, Fyzika a technika polovodičů, SNTL Praha 1990.
D.K.Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization
P.Capper, Bulk Crystal Growth of Electronic, Optical and Optoelectronic Materials Poslední úprava: Belas Eduard, doc. Ing., CSc. (20.05.2011)
|
|
||
Požadavky u ústní části zkoušky odpovídají sylabu předmětu v rozsahu, který byl prezentován na přednášce. Student dostane celkem dvě otázky, jednu z materiálů, druhou z aplikací. Poslední úprava: Belas Eduard, doc. Ing., CSc. (10.06.2019)
|
|
||
A. Polovodiče a heterostruktury.
Úzkozónové a širokozónové polovodiče pro součástky do infračervené, viditelné, rtg a gama oblasti spektra
(Si, Ge, SiGe, III-V, II-VI, IV-VI).
Příprava monokrystalů z taveniny. Příprava tenkých vrstev-kapalná epitaxe (LPE), plynná epitaxe (VPE), molekulární epitaxe (MOCVD, MBE). .
Příprava integrovaných obvodů (pasivace, litografie, difúze, e-beam, implantace)
B. Nepolovodičové materiály
Polymery, Safír, Grafen, Kompozity
C. Nanostruktury
Nanotechnologie (nanosoučástky a jejich příprava)
D. Charakterizační techniky
SEM, SIMS, STM, AFM, GDMS, EDS a další
E. Vakuová technika
F. Aplikace
Zdroje záření, detektory záření, solární články Poslední úprava: Belas Eduard, doc. Ing., CSc. (20.05.2011)
|