Studium adsorpce kovů na Si(100)2×1 pomocí STM při nízkých teplotách
Thesis title in Czech: | Studium adsorpce kovů na Si(100)2×1 pomocí STM při nízkých teplotách |
---|---|
Thesis title in English: | Low temperature STM study of metal adsorption on Si(100)2×1 |
Key words: | STM, hliník, Si(100)2×1, rozdělení délek |
English key words: | STM, aluminium, Si(100)2×1, length distribution |
Academic year of topic announcement: | 2010/2011 |
Thesis type: | Bachelor's thesis |
Thesis language: | čeština |
Department: | Department of Surface and Plasma Science (32-KFPP) |
Supervisor: | prof. RNDr. Ivan Ošťádal, CSc. |
Author: | hidden![]() |
Date of registration: | 06.10.2010 |
Date of assignment: | 03.11.2010 |
Date and time of defence: | 23.06.2011 00:00 |
Date of electronic submission: | 26.05.2011 |
Date of submission of printed version: | 26.05.2011 |
Date of proceeded defence: | 23.06.2011 |
Opponents: | doc. RNDr. Pavel Kocán, Ph.D. |
Guidelines |
1) Příprava vypařovadel pro depozici Al a In,
2) seznámení se s problematikou STM, podíl na přípravě experimentu, 3) zobrazení povrchu s různým množstvím naneseného kovu při teplotách 100-300 K, pokus o měření během depozice, 4) vyhodnocení snímků z STM a stanovení základních růstových charakteristik. |
References |
[1] Bai Ch., Scanning Tunneling Microscopy and its Application, Springer Series in Surf.Sci. 32, Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, N.Y., 1992.
[2] Metody analýzy povrchů: iontové, sondové a speciální metody. Editoři: L. Frank, J. Král, Academia, Praha 2002. [3] Články v odborných časopisech doporučené vedoucím práce. |
Preliminary scope of work |
Dvourozměrné a jednorozměrné nanostruktury - obsahující malý počet atomů - se vyznačují kvantovými vlastnostmi, které z nich činí potenciální stavební prvky v mnoha aplikacích rozvíjejících se nanotechnologií. Studiu přípravy a vlastností nanoobjektů je ve fyzice povrchů a tenkých vrstev věnována velká pozornost.
Práce se zabývá studiem adsorpce při depozici kovů na anizotropní povrch křemíku s orientací (100) a rekonstrukcí 2×1 a následným vznikem a růstem jednorozměrných ostrůvků - atomárních řetízků kovu. Tyto tzv. kvantové dráty mohou být stavebními elementy složitějších struktur vhodných pro řízení transportu jednotlivých kvant náboje či jejich lokalizaci - singlelectronics. Rastrovací tunelová mikroskopie (STM) je technikou, která umožňuje studovat povrchové struktury a procesy s atomárním rozlišením i přímo během nanášení kovu v podmínkách ultravakua. Práce navazuje na výsledky experimentálního studia růstu In, Al, Sn při teplotách > 300 K. Práce navazuje na rozsáhlé zkušenosti pracoviště s přípravou nanostruktur kovů na površích křemíku a jejich měření pomocí techniky STM. Získané experimentální zkušenosti lze dále využít v magisterském studiu v rámci diplomové práce s navazující tematikou. http://physics.mff.cuni.cz/kfpp/php/bak-abs.php?id=137 |
Preliminary scope of work in English |
http://physics.mff.cuni.cz/kfpp/php/bak-abs.php?id=137 |