Měření profilů elektrického odporu a fotovodivosti semiizolačního CdTe pro detektory záření gama
| Thesis title in Czech: | Měření profilů elektrického odporu a fotovodivosti semiizolačního CdTe pro detektory záření gama |
|---|---|
| Thesis title in English: | Measurement of profiles of electrical resistivity nd photoconductivity of semiinsulating CdTe for gamma ray detectors |
| Academic year of topic announcement: | 2008/2009 |
| Thesis type: | project |
| Thesis language: | čeština |
| Department: | Institute of Physics of Charles University (32-FUUK) |
| Supervisor: | prof. Ing. Jan Franc, DrSc. |
| Author: | hidden - assigned and confirmed by the Study Dept. |
| Date of registration: | 24.11.2008 |
| Date of assignment: | 24.11.2008 |
| Date of proceeded defence: | 02.06.2009 |
| Guidelines |
| 1. Prostudovat literaturu o bezkontaktním měření elektrického odporu
2. Seznámit se s aparaturou COREMA. 3. Proměřit elektrický odpor a fotovodivost vzorků CdTe. 4. Vyhodnotit změřené mapy a diskutovat výsledky. 5. Zpracovat zorávu o řešení projektu. Časový plán práce: listopad 2008-leden 2009 Seznámit se se základy bezkontaktního měření elektrického odporu a fotovodivosti. únor-duben 2009 Provést experiment a vyhodnotit mapy květen 2009 Sepsat zprávu o řešení projektu. |
| References |
| 1.R. Stibal, J. Windscheif, W. Jantz, Contactless evaluation of semiinsulating GaAs wafer resistivity using time-dependent charge measurements, Semicond. Sci. Technol. 6, 995 (1991).
2.D.K.Schroeder, Semiconductor Material and device characterization, John Wiley and Sons, New York, 1998, p.35-55 |
| Preliminary scope of work |
| Zájem o nechlazené detektory rentgenova záření výrazně narostl v posledních několika letech. Příčinou jsou především požadavky na aplikace detektorů v oblasti medicíny a bezpečnosti. Semiizolační CdTe je optimálním materiálem pro přípravu tohoto typu detektorůí. To je způsobeno zejména velkým atomovým číslem CdTe a tím i vysokou absorpční schopností fotonů rentgenova záření, nízkým temným proudem a dlouhou instrinsickou dobou života elektronů.
Vysoký elektrický odpor (~10^9Ohmcm) je nezbytně nutný pro snížení temného proudu v detektorech, a tím dosažení vysokého poměru signál-šum. Potřebného elektrického odporu lze dosáhnout vhodným legováním cizími příměsemi (In,Cl). Současně s vysokým elektrickým odporem je pro optimální činnost detektoru nutná nízká koncentrace defektů. Defekty v CdTe však působí jako pasti a rekombinační centra a mají tím za následek zhoršení sběru náboje. Jednou z metod charakterizace defektů je fotovodivost. Tato metoda pracující v mapovacím módu umožňuje určit rozložení defektů v závislosti na podmínkách růstu krystalů Cílem bakalářské práce je stanovit rozložení elektrického odporu a fotovodivosti ve vysokoodporovém CdTe bezkontaktní metodou v mapovacím módu a vypracovat optimální metodiku měření. |