Mapování elektrického odporu a fotovodivosti semizolačního CdTe bezkontaktní metodou
| Thesis title in Czech: | Mapování elektrického odporu a fotovodivosti semizolačního CdTe bezkontaktní metodou |
|---|---|
| Thesis title in English: | Mapping of electrical resistivity and photoconductivity of semiinsulating CdTe by contactless method |
| Academic year of topic announcement: | 2009/2010 |
| Thesis type: | Bachelor's thesis |
| Thesis language: | čeština |
| Department: | Institute of Physics of Charles University (32-FUUK) |
| Supervisor: | prof. Ing. Jan Franc, DrSc. |
| Author: | hidden - assigned and confirmed by the Study Dept. |
| Date of registration: | 27.10.2009 |
| Date of assignment: | 27.10.2009 |
| Date and time of defence: | 22.06.2010 00:00 |
| Date of electronic submission: | 22.06.2010 |
| Date of proceeded defence: | 22.06.2010 |
| Opponents: | doc. RNDr. Pavel Moravec, CSc. |
| Guidelines |
| 1. Prostudovat literaturu o bezkontaktním měření elektrického odporu
2. Seznámit se s aparaturou COREMA. 3. Doplnit zařízení COREMA oz droj světla a provést jeho kalibraci 3. Proměřit elektrický odpor a fotovodivost vzorků CdTe. 4. Vyhodnotit změřené mapy a diskutovat výsledky. 5. Zpracovat bakalářskou práci. |
| References |
| 1.R. Stibal, J. Windscheif, W. Jantz, Contactless evaluation of semiinsulating GaAs wafer resistivity using time-dependent charge measurements, Semicond. Sci. Technol. 6, 995 (1991).
2.D.K.Schroeder, Semiconductor Material and device characterization, John Wiley and Sons, New York, 1998, p.1-55 |
| Preliminary scope of work |
| Zájem o nechlazené detektory rentgenova záření výrazně narostl v posledních několika letech. Příčinou jsou především požadavky na aplikace detektorů v oblasti medicíny a bezpečnosti. Semiizolační CdTe je optimálním materiálem pro přípravu tohoto typu detektorůí. To je způsobeno zejména velkým atomovým číslem CdTe a tím i vysokou absorpční schopností fotonů rentgenova záření, nízkým temným proudem a dlouhou instrinsickou dobou života elektronů.
Vysoký elektrický odpor (~10^9Ohmcm) je nezbytně nutný pro snížení temného proudu v detektorech, a tím dosažení vysokého poměru signál-šum. Potřebného elektrického odporu lze dosáhnout vhodným legováním cizími příměsemi (In,Cl). Současně s vysokým elektrickým odporem je pro optimální činnost detektoru nutná nízká koncentrace defektů. Defekty v CdTe však působí jako pasti a rekombinační centra a mají tím za následek zhoršení sběru náboje. Jednou z metod charakterizace defektů je fotovodivost. Tato metoda pracující v mapovacím módu umožňuje určit rozložení defektů v závislosti na podmínkách růstu krystalů Cílem bakalářské práce je stanovit rozložení elektrického odporu a fotovodivosti ve vysokoodporovém CdTe bezkontaktní metodou v mapovacím módu a vypracovat optimální metodiku měření. |