hidden - assigned and confirmed by the Study Dept.
Date of registration:
15.01.2025
Date of assignment:
16.01.2025
Confirmed by Study dept. on:
16.01.2025
Guidelines
Cílem diplomové práce je rozpracování kvantově-mechanických modelů pro lineární a nelineární odezvu elektronů vázaných v potenciálové pasti na vnější terahertzové záření. V současnosti na pracovišti používáme kombinovaný model [1,2], kde jsou jednotlivé části elektronové kinetiky popsané kvantově-mechanicky resp. klasicky a relaxační procesy jsou zahrnuty jednoduše skrze tlumící koeficienty v kinetické rovnici pro matici hustoty. Z toho ale plyne kalibrační neinvariance modelu a dále nemožnost využít jej pro popis nelineární odezvy na vnější pole. V diplomové práci a úpravě existujícího modelu bude kladen důraz na sjednocující popis, který je nezávislý na zvolené kalibraci pro elektromagnetické pole a který popisuje relaxaci elektronů na kvantově-mechanické (a nikoliv klasické) úrovni. Výsledkem bude model škálovatelný pro libovolný řád nelineární odezvy. Analytické výpočty budou doplněné vyčíslením předpovědí s využitím numerických metod pro realistícké vstupní parametry.
References
[1] V. Pushkarev, T. Ostatnický, H. Němec, T. Chlouba, F. Trojánek, P. Malý, M. Zacharias, S. Gutsch, D. Hiller, and P. Kužel, Quantum behavior of terahertz photoconductivity in silicon nanocrystals networks, Phys. Rev. B 95, 125424 (2017).
[2] T. Ostatnický, V. Pushkarev, H. Němec, P. Kužel, Quantum theory of terahertz conductivity of semiconductor nanostructures, Phys. Rev. B 97, 085426 (2018).
- assigned and confirmed by the Study Dept.