Kalibrace světelného zdroje pro měření fotovodivosti semiizolačního CdTe bezkontaktní metodou
| Thesis title in Czech: | Kalibrace světelného zdroje pro měření fotovodivosti semiizolačního CdTe bezkontaktní metodou |
|---|---|
| Thesis title in English: | Light source calibration for photoconductivity measurement of semiinsulating CdTe |
| Academic year of topic announcement: | 2015/2016 |
| Thesis type: | project |
| Thesis language: | čeština |
| Department: | Institute of Physics of Charles University (32-FUUK) |
| Supervisor: | prof. Ing. Jan Franc, DrSc. |
| Author: |
| Guidelines |
| 1. Prostudovat literaturu o bezkontaktním měření elektrického odporu
2. Seznámit se s aparaturou COREMA. 3. Doplnit zařízení COREMA o zdroj světla a provést jeho kalibraci 4. Proměřit elektrický odpor a fotovodivost vzorků CdTe. 5. Vyhodnotit změřené mapy a diskutovat výsledky. |
| References |
| 1.R. Stibal, J. Windscheif, W. Jantz, Contactless evaluation of semiinsulating GaAs wafer resistivity using time-dependent charge measurements, Semicond. Sci. Technol. 6, 995 (1991).
2.D.K.Schroeder, Semiconductor Material and device characterization, John Wiley and Sons, New York, 1998, p.1-55 |
| Preliminary scope of work |
| Zájem o nechlazené detektory rentgenova záření výrazně narostl v posledních několika letech. Příčinou jsou především požadavky na aplikace detektorů v oblasti medicíny a bezpečnosti. Semiizolační CdTe je optimálním materiálem pro přípravu tohoto typu detektorůí. To je způsobeno zejména velkým atomovým číslem CdTe a tím i vysokou absorpční schopností fotonů rentgenova záření, nízkým temným proudem a dlouhou instrinsickou dobou života elektronů.
Vysoký elektrický odpor (~10^9Ohmcm) je nezbytně nutný pro snížení temného proudu v detektorech, a tím dosažení vysokého poměru signál-šum. Potřebného elektrického odporu lze dosáhnout vhodným legováním cizími příměsemi (In,Cl). Současně s vysokým elektrickým odporem je pro optimální činnost detektoru nutná nízká koncentrace defektů. Defekty v CdTe však působí jako pasti a rekombinační centra a mají tím za následek zhoršení sběru náboje. Jednou z metod charakterizace defektů je fotovodivost. Tato metoda pracující v mapovacím módu umožňuje určit rozložení defektů v závislosti na podmínkách růstu krystalů Cílem projektu je zkalibrovat světelný zdroj pro mapování fotovodivosti, stanovit rozložení elektrického odporu a fotovodivosti ve vysokoodporovém CdTe bezkontaktní metodou v mapovacím módu a vypracovat optimální metodiku měření. |