Studium adsorpce kovů na Si(100)2×1 pomocí STM při nízkých teplotách
| Název práce v češtině: | Studium adsorpce kovů na Si(100)2×1 pomocí STM při nízkých teplotách |
|---|---|
| Název v anglickém jazyce: | Low temperature STM study of metal adsorption on Si(100)2×1 |
| Klíčová slova: | STM, hliník, Si(100)2×1, rozdělení délek |
| Klíčová slova anglicky: | STM, aluminium, Si(100)2×1, length distribution |
| Akademický rok vypsání: | 2010/2011 |
| Typ práce: | bakalářská práce |
| Jazyk práce: | čeština |
| Ústav: | Katedra fyziky povrchů a plazmatu (32-KFPP) |
| Vedoucí / školitel: | prof. RNDr. Ivan Ošťádal, CSc. |
| Řešitel: | skrytý - zadáno a potvrzeno stud. odd. |
| Datum přihlášení: | 06.10.2010 |
| Datum zadání: | 03.11.2010 |
| Datum a čas obhajoby: | 23.06.2011 00:00 |
| Datum odevzdání elektronické podoby: | 26.05.2011 |
| Datum odevzdání tištěné podoby: | 26.05.2011 |
| Datum proběhlé obhajoby: | 23.06.2011 |
| Oponenti: | doc. RNDr. Pavel Kocán, Ph.D. |
| Zásady pro vypracování |
| 1) Příprava vypařovadel pro depozici Al a In,
2) seznámení se s problematikou STM, podíl na přípravě experimentu, 3) zobrazení povrchu s různým množstvím naneseného kovu při teplotách 100-300 K, pokus o měření během depozice, 4) vyhodnocení snímků z STM a stanovení základních růstových charakteristik. |
| Seznam odborné literatury |
| [1] Bai Ch., Scanning Tunneling Microscopy and its Application, Springer Series in Surf.Sci. 32, Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, N.Y., 1992.
[2] Metody analýzy povrchů: iontové, sondové a speciální metody. Editoři: L. Frank, J. Král, Academia, Praha 2002. [3] Články v odborných časopisech doporučené vedoucím práce. |
| Předběžná náplň práce |
| Dvourozměrné a jednorozměrné nanostruktury - obsahující malý počet atomů - se vyznačují kvantovými vlastnostmi, které z nich činí potenciální stavební prvky v mnoha aplikacích rozvíjejících se nanotechnologií. Studiu přípravy a vlastností nanoobjektů je ve fyzice povrchů a tenkých vrstev věnována velká pozornost.
Práce se zabývá studiem adsorpce při depozici kovů na anizotropní povrch křemíku s orientací (100) a rekonstrukcí 2×1 a následným vznikem a růstem jednorozměrných ostrůvků - atomárních řetízků kovu. Tyto tzv. kvantové dráty mohou být stavebními elementy složitějších struktur vhodných pro řízení transportu jednotlivých kvant náboje či jejich lokalizaci - singlelectronics. Rastrovací tunelová mikroskopie (STM) je technikou, která umožňuje studovat povrchové struktury a procesy s atomárním rozlišením i přímo během nanášení kovu v podmínkách ultravakua. Práce navazuje na výsledky experimentálního studia růstu In, Al, Sn při teplotách > 300 K. Práce navazuje na rozsáhlé zkušenosti pracoviště s přípravou nanostruktur kovů na površích křemíku a jejich měření pomocí techniky STM. Získané experimentální zkušenosti lze dále využít v magisterském studiu v rámci diplomové práce s navazující tematikou. http://physics.mff.cuni.cz/kfpp/php/bak-abs.php?id=137 |
| Předběžná náplň práce v anglickém jazyce |
| http://physics.mff.cuni.cz/kfpp/php/bak-abs.php?id=137 |