Studium růstu kvantových teček na povrchu Si(111)5x5
| Název práce v češtině: | Studium růstu kvantových teček na povrchu Si(111)5x5 |
|---|---|
| Název v anglickém jazyce: | Study of growth of quantum dots on the Si(111)5x5 surface |
| Akademický rok vypsání: | 2009/2010 |
| Typ práce: | bakalářská práce |
| Jazyk práce: | |
| Ústav: | Katedra fyziky povrchů a plazmatu (32-KFPP) |
| Vedoucí / školitel: | doc. RNDr. Pavel Kocán, Ph.D. |
| Řešitel: |
| Zásady pro vypracování |
| 1) Seznámení se s metodou řádkovací tunelové mikroskopie
2) Příprava povrchu Si(111)5x5 3) Příprava nanostruktur na povrchu Si(111)5x5 4) Nalezení vhodných podmínek pro uspořádání nanostruktur ve formě kvantových teček |
| Seznam odborné literatury |
| [1] Eckertová L.: Physics of Thin Films, Plenum Press, NY 1986.
[2] Bai C.: Scanning Tunneling Microscopy and its Application, Springer Series in Surf.Sci.32, Berlin-Heidelberg, New York 1992. [3] Ch.Kittel - Úvod do FPL, Academia 1985. [4] Články v odborných časopisech podle doporučení vedoucího práce. |
| Předběžná náplň práce |
| Povrch krystalu křemíku je často využíván jako podložka pro spontánní růst uspořádaných kvantových teček - klastrů obsahujících pouze pár atomů. Z hlediska elektronové struktury takové tečky představují uměle vytvořené atomy s novými fyzikálními vlastnostmi. V minulosti byla využita především podložka s dobře známou rekonstrukcí 7x7. Tématem práce je studium možnosti využití méně běžné rekonstrukce 5x5, která slibuje růst ještě menších kvantových teček. Za tímto účelem bude využit řádkovací tunelový mikroskop (STM), umožňující atomárně rozlišené pozorování povrchu. Výsledky práce budou přímo publikovatelné, na práci je možné navázat prací diplomovou.
http://physics.mff.cuni.cz/kfpp/php/bak-abs.php?id=116 |
| Předběžná náplň práce v anglickém jazyce |
| http://physics.mff.cuni.cz/kfpp/php/bak-abs.php?id=116
|