Počáteční stadia růstu lineárních řetízků Al (resp. Ga) na Si(100)2×1
Název práce v češtině: | Počáteční stadia růstu lineárních řetízků Al (resp. Ga) na Si(100)2×1 |
---|---|
Název v anglickém jazyce: | Early stages of 1D growth of Al (or Ga) on Si(100)2×1 |
Akademický rok vypsání: | 2006/2007 |
Typ práce: | bakalářská práce |
Jazyk práce: | |
Ústav: | Katedra fyziky povrchů a plazmatu (32-KFPP) |
Vedoucí / školitel: | prof. RNDr. Ivan Ošťádal, CSc. |
Řešitel: | skrytý - zadáno a potvrzeno stud. odd. |
Datum přihlášení: | 10.11.2006 |
Datum zadání: | 10.11.2006 |
Zásady pro vypracování |
Úkoly práce jsou:
• příprava vypařovadel pro depozici Al a Ga, • seznámení se s problematikou STM, podíl na přípravě experimentu • zobrazení povrchu s různým množstvím naneseného kovu při pokojové teplotě, pokus o měření během depozice, • vyhodnocení snímků z STM a stanovení základních charakteristik. |
Seznam odborné literatury |
1. Javorský J.: Studium heteroepitaxe kovů na povrchu Si(100) 2×1 pomocí STM, Diplomová práce, KEVF MFF UK, Praha, 2006
2. Eckertová L.: Physics of Thin Films, Plenum Press, NY 1986 3. Bai C.: Scanning Tunneling Microscopy and its Application, Springer Series in Surf.Sci.32, Berlin-Heidelberg, New York 1992. 4. Články v odborných časopisech podle doporučení vedoucího práce. |
Předběžná náplň práce |
Práce se zabývá studiem adsorpce při depozici kovů na anizotropní povrch křemíku s orientací (100) a rekonstrukcí 2×1 a následným vznikem a růstem jednorozměrných (1D) ostrůvků – atomárních řetízků kovu. Uvedené nanostruktury (kvantové dráty) mohou být stavebními prvky pro složitější systémy s potenciálním využitím v různých oblastech nanotechnologií. Rastrovací tunelová mikroskopie (STM) je technikou, která umožňuje studovat povrchové struktury a procesy s atomárním rozlišením přímo během nanášení kovu v podmínkách ultravakua.
Práce vychází ze zkušeností získaných při studiu růstu Ag a In na povrchu Si(100) 2×1 a zabývá se úvodními experimenty pro další kovy: Al, Ga. |
Předběžná náplň práce v anglickém jazyce |
Early stages of 1D growth of Al (or Ga) on Si(100)2×1 |