Řízené vytváření uspořádaných atomárních struktur s rozměry v řádu desítek nanometrů je důležité pro studium a využití elektronických jevů, které se projevují u objektů při snižování jejich rozměrů pod kritickou mez. Metoda skenovací tunelové mikroskopie (STM) umožňuje v ultravakuu definovaně studovat procesy uspořádaného růstu povrchových nanostruktur na atomární úrovni a současně i studovat vliv morfologie a složení na elektronické vlastnosti. Téma práce je zaměřeno na experimentální studium adsorpce atomů různých kovů na orientovaných površích křemíku (zejména Si(111) 2×1), parametrů jejich povrchové pohyblivosti a mechanismů tvorby ostrůvků při depozici jediného nebo více kovů metodou in vivo. Tato část může být doplněna o teoretické studium pomocí kinetických Monte Carlo simulací růstu. Součástí práce bude využití metody spektroskopie tunelujících elektronů pro lokální studium elektronických vlastností povrchových nanostruktur.
- zadáno a potvrzeno stud. odd.