Témata prací (Výběr práce)Témata prací (Výběr práce)(verze: 385)
Detail práce
   Přihlásit přes CAS
Optické hradlování epitaxního grafénu
Název práce v češtině: Optické hradlování epitaxního grafénu
Název v anglickém jazyce: Optical gating of epitaxial graphene
Klíčová slova: epitaxní grafén|optické hradlování|karbid křemíku
Klíčová slova anglicky: epitaxial graphene|optical gating|silicon carbide
Akademický rok vypsání: 2020/2021
Typ práce: diplomová práce
Jazyk práce: čeština
Ústav: Fyzikální ústav UK (32-FUUK)
Vedoucí / školitel: RNDr. Václav Dědič, Ph.D.
Řešitel: skrytý - zadáno a potvrzeno stud. odd.
Datum přihlášení: 09.12.2020
Datum zadání: 09.12.2020
Datum potvrzení stud. oddělením: 06.05.2022
Datum a čas obhajoby: 16.06.2022 10:00
Datum odevzdání elektronické podoby:04.05.2022
Datum odevzdání tištěné podoby:04.05.2022
Datum proběhlé obhajoby: 16.06.2022
Oponenti: RNDr. Lukáš Nádvorník, Ph.D.
 
 
 
Zásady pro vypracování
1) Časopisecká rešerše poblematiky optického hradlování grafénu
2) Příprava vzorku epitaxního grafénu pro měření optického hradlování grafénu prostřednictvím legovaného SiC substrátu
3) Identifikace optických přechodů v substrátu generovaných světlem ze spektrální oblasti UV-VIS-NIR zodpovědných za změny vodivosti grafénu
4) Měření spektrální optické propustnosti substrátu a porovnání polohy absorbčních čar s přechody identifikovanými z transportních experimentů
5) Studium dynamiky změn vodivosti grafénu-zejména časové a frekvenční závislosti
6) Diskuze výsledků
Seznam odborné literatury
[1] Jon Gorecki, Vasilis Apostolopoulos, Jun-Yu Ou, Sakellaris Mailis, and Nikitas Papasimakis ACS Nano 2018 12 (6), 5940-5945, DOI: 10.1021/acsnano.8b02161
[2] Liu, C. H., Chang, Y. C., Norris, T. B., & Zhong, Z. (2014). Graphene photodetectors with ultra-broadband and high responsivity at room temperature. Nature nanotechnology, 9(4), 273–278. https://doi.org/10.1038/nnano.2014.31
[3] B. K. Sarker, E. Cazalas, I. Childres, T.-F. Chung, I. Jovanovic, Y. P. Chen, "Field effect photoconductivity in graphene on undoped semiconductor substrates," Proc. SPIE 10638, Ultrafast Bandgap Photonics III, 106381A (8 May 2018); doi: 10.1117/12.2309376
 
Univerzita Karlova | Informační systém UK