Témata prací (Výběr práce)Témata prací (Výběr práce)(verze: 368)
Detail práce
   Přihlásit přes CAS
Magneto-elektrická vazba ve spintronických nanostrukturách - studium dynamické změny magnetizace
Název práce v češtině: Magneto-elektrická vazba ve spintronických nanostrukturách - studium dynamické změny magnetizace
Název v anglickém jazyce: Magneto-electric coupling in spintronic nanostructures - study of dynamic change in magnetization
Akademický rok vypsání: 2015/2016
Typ práce: projekt
Jazyk práce:
Ústav: Fyzikální ústav UK (32-FUUK)
Vedoucí / školitel: RNDr. Martin Veis, Ph.D.
Řešitel: skrytý - zadáno vedoucím/školitelem
Datum přihlášení: 10.12.2015
Datum zadání: 10.12.2015
Konzultanti: RNDr. Lukáš Beran, Ph.D.
Zásady pro vypracování
Cílem projektu je systematické studium magnetooptické odezvy vybraných feromagnetických nanostruktur založených na materiálu La2/3Sr1/3MnO3 připravených ve spolupráci s univerzitou Paříž-Jih v Orsay na piezoelektrických vrstvách. Experimentální metodou bude magnetooptická spektroskopie, magnetometrie a mikroskopie. Student bude zkoumat magnetický stav feromagnetické vrstvy v závislosti na různých hodnotách přiloženého napětí. Z naměřených výsledků bude možno odhadnout vzjámenou magneto-elektrickou vazbu.
Seznam odborné literatury
R. M. A. Azzam, N. M. Bashara, Ellipsometry and Polarized Light, North-Holland, Amsterdam / New York / Oxford 1977.
Š. Višňovský, Optics in Magnetic Multilayers and Nanostructures, CRC Taylor & Francis, Boca Raton 2006.
Vybraný soubor původních prací týkajících se tématu. K dispozici u vedoucího projektu.
Předběžná náplň práce
Dynamické ovládání magnetického stavu látky je velmi důležité z hlediska aplikací ve spinové elektronice. Toto odvětví elektroniky používá jako nositele informace spin elektronu a ne jeho náboj. To umožňuje návrh a realizaci elektronických součástek s nižší energetickou spotřebou, vyšším výkonem a menšími rozměry. Jednou z takových součástek je magnetická paměť RAM. Její nespornou výhodou je i to, že neztratí uloženou informaci při odpojení napětí. Nový typ této paměti vyvíjí americká společnost IBM. K úspěšné realizaci konceptu je však nutné přepínat magnetický stav látky elektrickým polem. Toto přepínání může být realizováno pomocí magneto-elektrické vazby mezi feromagnetickou vrstvou a piezoelektrickou sub-vrstvou. Napětí přiložené na sub-vrstvu má za následek změnu v její krystalové struktuře a tím indukované pnutí na feromagnetickou vrstvu. Toto pnutí poté způsobí magnetické přepnutí. Fyzikální princip této magneto-elektrické vazby není do dnešní doby zcela objasněn.
 
Univerzita Karlova | Informační systém UK