Vliv snižování teploty povrchu křemíku Si(100) na morfologii růstu kovu při malém pokrytí
| Název práce v češtině: | Vliv snižování teploty povrchu křemíku Si(100) na morfologii růstu kovu při malém pokrytí |
|---|---|
| Název v anglickém jazyce: | Influence of decreasing surface temperature of Si(100) on metal growth morphology at low coverage |
| Klíčová slova: | STM, Si(100), růst cínových řetízků, Sn, rozdělení délek řetízků |
| Klíčová slova anglicky: | STM, Si(100), Sn chains growth, Sn, chain lenght distribution |
| Akademický rok vypsání: | 2014/2015 |
| Typ práce: | bakalářská práce |
| Jazyk práce: | čeština |
| Ústav: | Katedra fyziky povrchů a plazmatu (32-KFPP) |
| Vedoucí / školitel: | prof. RNDr. Ivan Ošťádal, CSc. |
| Řešitel: | skrytý - zadáno a potvrzeno stud. odd. |
| Datum přihlášení: | 24.10.2014 |
| Datum zadání: | 24.10.2014 |
| Datum potvrzení stud. oddělením: | 28.11.2014 |
| Datum a čas obhajoby: | 11.09.2015 00:00 |
| Datum odevzdání elektronické podoby: | 29.07.2015 |
| Datum odevzdání tištěné podoby: | 29.07.2015 |
| Datum proběhlé obhajoby: | 11.09.2015 |
| Oponenti: | RNDr. Peter Matvija, Ph.D. |
| Konzultanti: | doc. RNDr. Pavel Sobotík, CSc. |
| Zásady pro vypracování |
| 1. Seznámení se s technikou STM a metodikou experimentu s depozicí Sn (In) na Si(100).
2. Příprava vzorků s pokrytím < 0.1 ML při několika teplotách menších než pokojová a získání zobrazení morfologie pomocí STM. 3. Zpracování dat z STM a získání růstových charakteristik. 4. Diskuse výsledků s ohledem na kinetiku růstu. |
| Seznam odborné literatury |
| Chen C.J., Introduction to Scanning Tunneling Microscopy, Oxford Univ. Press, Oxford 1993, 2008.
Jakub Javorský, Early stages of indium growth on the Si(100) surface, Doktorská disertační práce, MFF UK v Praze, 2011. Další literatura a články podle doporučení vedoucího práce. |
| Předběžná náplň práce |
| Teplota křemíkového substrátu při vakuové depozici ovlivňuje pohyblivost atomů a společně s depoziční rychlostí kinetiku růstu a morfologii atomárních řetízků. Studium morfologie a získání růstových charakteristik s atomárním rozlišením pomocí skenovací tunelové mikroskopie (STM) pro různé podmínky růstu umožňují rekonstruovat scénář růstu a posoudit význam předpokládaných povrchových procesů pro růst. Práce se zaměří na růst atomárních řetízků india, které bylo dosud studováno pouze při pokojové a vyšších teplotách, kdy se mohou atomy od řetízků odpojovat a roste četnost kratších řetízků. Při nízkých teplotách se četnost odpojování sníží a zároveň poklesne i pohyblivost jednotlivých atomů india po povrchu a tím i pravděpodobnost jejich záchytu a nukleace řetízků na C-defektech. Lze očekávat podstatné ovlivnění kinetiky růstu, které může vést až ke kvalitativním změnám v růstových charakteristikách.
Experimentální část práce bude prováděna na ultravakuovém sytému pro přípravu a měření vzorků při různých teplotách. Výsledky práce budou důležité pro posouzení modelu růstu navrženého na základě vyhodnocení růstu při pokojové a výšších teplotách a jeho testování pomocí kinetických Monte Carlo simulací. http://physics.mff.cuni.cz/kfpp/php/bak-abs.php?id=208 |
| Předběžná náplň práce v anglickém jazyce |
| http://physics.mff.cuni.cz/kfpp/php/bak-abs.php?id=208 |